Quick Charge

Il Quick Charge (Ricarica veloce) è una tecnologia che si trova nei System-on-a chip Snapdragon di Qualcomm ed usata in dispositivi come computer e telefoni cellulari per la gestione dell’energia elettrica via interfaccia USB.

Permette la ricarica delle batterie nei dispositivi più velocemente di quanto consentito dallo standard USB aumentando la tensione di uscita fornita dal caricatore USB, adottando tecniche per prevenire i danni alla batteria causati dalla ricarica rapida incontrollata e regolando internamente la tensione in ingresso.

Dettagli del Quick Charge

Il Quick Charge è una tecnologia proprietaria che consente la ricarica di dispositivi alimentati a batteria.

Principalmente è destinata ai telefoni cellulari, a livelli inferiori e superiori ai tipici 5 Volt e 2 Ampere consentiti dalla maggior parte degli standard USB.

Per usufruire della carica rapida di Qualcomm, sia l’alimentatore che il dispositivo devono supportare il protocollo.

Nel 2012 l’USB Implementers Forum (USB IF) ha annunciato che è stato finalizzato lo standard USB Power Delivery (USB PD) che consente ai dispositivi di trasferire fino a 100 watt di potenza su porte USB compatibili.

Quick Charge 2.0 ha introdotto una funzione opzionale chiamata Dual Charge (inizialmente chiamata Parallel Charging).

Tale funzione utilizza due PMIC (Power management integrated circuit) per dividere la potenza in 2 flussi riducendo la temperatura del telefono sotto carica.

A partire dalla versione 3.0, la tecnologia Quick Charge è stata denominata INOV (Intelligent Negotiation for Optimal Voltage, o Negoziazione Intelligente per Tensione Ottimale), con versioni successive che migliorano in seguito ai livelli di tensione di carica consentiti.

Quick Charge 4.0 è stato annunciato a dicembre 2016 insieme a Snapdragon 835.

La versione 4.0 implementa ulteriori misure di sicurezza per la protezione da sovraccarico e surriscaldamento ed è conforme alle specifiche USB⁠-⁠C e USB Power Delivery (USB-PD).

Tabella con specifiche

Tecnologia	Tensione	Corrente Massima	Potenza Massima	Caratteristiche	Data di rilascio	Versione supporto chip
Quick Charge 1.0	5 V	2 A	10 W	AICL (Automatic Input Current Limit) APSD (Automatic Power Source Detection)	2013	Snapdragon 600
Quick Charge 2.0	5 V, 9 V, 12 V	3 A, 2 A, o 1.67 A	18 W	HVDCP (High Voltage Dedicated Charging Port) Dual Charge (opzionale)	2015	Snapdragon 200, 208, 210, 212, 400, 410, 412, 415, 425, 610, 615, 616, 800, 801, 805, 808, 810
Quick Charge 3.0	3.6 V a 20 V, dinamico con incrementi di 200 mV	2.5 A o 4.6 A	18 W	HVDCP+ Dual Charge+ (opzionale) INOV 1.0 & 2.0 Battery Saver Technologies	2016	Snapdragon 427, 430, 435, 617, 620, 625, 626, 650, 652, 653, 820, 821
Quick Charge 4.0	3.6 V a 20 V, dinamico con incrementi di 200 mV tramite caricatore QC5 V. 9V via USB-PD 3 V a 11 V, con incrementi di 20 mV e 0 V a 3 V con incrementi di 50 mA via USB-PD 4.0 PPS (Programmable Power Supply)	3 A via USB-PD 2.5 A o 4.6 A via QC	18 W o 27 W via USB-PD100 W (20 V * 5 A) via QC	HVDCP++ Dual Charge++ (opzionale) INOV 3.0 Battery Saver Technologies 2 USB-PD compatible	2017	Snapdragon 630, 636, 660, 835
Quick Charge 4.0+	5 V, 9 V via USB-PD 3.6 V a 20 V, Incrementi di 200 mV con “QC charger”	3 A via USB-PD 2.5 A o 4.6 A via QC	18 W o 27 W via USB-PD100 W (20 V * 5 A) via QC	Dual Charge++ (non opzionale) Intelligent Thermal Balancing Advanced Safety Features	2017	Snapdragon 670, 675, 710, 712, 720G, 730, 730G, 845, 855, 855+